簡要描述:Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用的IR輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的膜基于C-MOSI®技術(shù),膜溫度高達800°C。它可以長期穩(wěn)定地輸出輻射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨立和手持式應(yīng)用。我們的紅外發(fā)射器中使用的MEMS芯片由多層加熱板膜組成,該膜包含高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。
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品牌 | Micro-Hybrid | 價格區(qū)間 | 面議 |
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組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子,綜合 |
Micro-Hybrid
C_MOSI®紅外輻射源,TO46,帶蓋
經(jīng)濟型紅外輻射源,用于低輸入功率的氣體分析應(yīng)用中的大量
•廉價的組件標準MEMS技術(shù)和CMOS兼容
•使用SMD外殼進行有效的自動組裝過程
•加熱板溫度高達800°C,具有良好的輻射性能
•由于熱質(zhì)量不足而導(dǎo)致的高調(diào)制深度
Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋
描述
用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用的IR輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的膜基于C-MOSI®技術(shù),膜溫度高達800°C。它可以長期穩(wěn)定地輸出輻射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨立和手持式應(yīng)用。我們的紅外發(fā)射器中使用的MEMS芯片由多層加熱板膜組成,該膜包含高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射極芯片基于硅基板,背面蝕刻有膜。所有薄膜工藝均使用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料進行。有源C-MOSI電阻層具有保護環(huán)境的功能。
Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋
技術(shù)指標
標題 | Micro Hybrid | C_MOSI®IR Strahler, TO46 mit Kappe |
型號 | JSIR340-5-BL-C-D2.55-0-0 |
項目編號 | 6342.04-0.00 |
套管 | TO46 |
附加裝置 | Kappe |
窗口/濾光片 | Nein |
填充氣體 | Nein |
有效區(qū)域[mm²] | 0.65 x 0.65 |
能量消耗 | Niedrig |
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